MOSFET 特性
此示例展示了如何生成 N 沟道 MOSFET 的特性曲线。通过双击标注为 'Define Conditions (Vg and Vds)' 的模块来定义栅极电压向量以及最小和最大漏极-源极电压。然后点击模型中的 plot results 超链接。
可以将此类型的图与制造商数据手册进行比较，以确认正确实现 MOSFET 参数。您还可以通过指定一系列负 Vds 值，使用此模型来检查反向区域中的 MOSFET 特性。
要探索 P 沟道 MOSFET 的属性，请从库中复制一个 P 沟道 MOSFET 来替换 N 沟道器件，注意交换两个输出连接，以便源极仍然接地。为了指定正常运行，栅极电压向量应为负值，并且 Vds 值范围也应为负值。
模型
来自 Simscape 记录的仿真结果
下图显示了一系列栅极电压下的漏极电流与漏极-源极电压。
实时仿真结果
此示例已在配备 Intel®3.5 GHz i7 多核 CPU 的 Speedgoat Performance 实时目标计算机上进行了测试。该模型可以采用 30 微秒的步长实时运行。
