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ee_importDeviceParameters

对 Hitachi 或 Infineon XML 文件中的理想半导体模块进行参数化

自 R2021b 起

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语法

ee_importDeviceParameters(file,"hitachi",blockPath)
ee_importDeviceParameters(file,"infineon",blockPath,GateResistanceOn=Rgon)
ee_importDeviceParameters(file,"infineon",blockPath,GateResistanceOn=Rgon,GateResistanceOff=Rgoff)
ee_importDeviceParameters(___,Verbose=true)
ee_importDeviceParameters(___,Verbose=false)

说明

Hitachi 器件

ee_importDeviceParameters(file,"hitachi",blockPath) 从 Hitachi 支持的格式的数据手册中提取参数，用于二极管、绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 或金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。它将参数导入到指定 blockPath 下的 Simscape™ 模块中。XML 文件必须位于 MATLAB® 路径上。该语法支持以下模块：

有关用于 IGBT 和二极管器件的 Hitachi 数据手册的示例，请参阅 Hitachi 网站上的 Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) and diode modules with SPT, SPT+, SPT++ and TSPT+ chips 页面。

示例

Infineon 器件

ee_importDeviceParameters(file,"infineon",blockPath,GateResistanceOn=Rgon) 从 Infineon® 支持的格式的数据手册中提取参数，用于具有由 Rgon 指定的导通栅极电阻值的二极管。它将参数导入到指定 blockPath 下的 Diode 模块中。XML 文件必须位于 MATLAB 路径上 (自 R2024b 起)。

ee_importDeviceParameters(file,"infineon",blockPath,GateResistanceOn=Rgon,GateResistanceOff=Rgoff) 从数据手册提取参数，用于具有由 Rgon 指定的导通栅极电阻值和由 Rgoff 指定的关断栅极电阻值的 IGBT。它将参数导入到指定 blockPath 下的 Simscape 模块中。XML 文件必须位于 MATLAB 路径上。该语法支持以下模块：

有关 IGBT 器件的 Infineon 数据手册示例，请参阅 Infineon 网站上的 IGBTs – Insulated Gate Bipolar Transistors 页面。

附加选项

ee_importDeviceParameters(___,Verbose=true) 还会启用有关 XML 文件中未使用的字段的警告。

ee_importDeviceParameters(___,Verbose=false) 还会禁用有关 XML 文件中未使用的字段的警告。

示例

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选择您想要将参数导入其中的模块。打开包含 IGBT (Ideal, Switching) 模块的模型。

openExample("simscapeelectrical/ImportIGBTFromHitachiExample")

编辑 ee_import_igbt_device_parameters_data.xml 文件以检查其内容。

edit ImportIGBTFromHitachiData.xml

点击 IGBT (Ideal, Switching) 模块，然后调用 ee_importDeviceParameters 函数。

ee_importDeviceParameters("ImportIGBTFromHitachiData.xml","hitachi",gcb)

输入参数

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您想要导入并从中提取参数的 XML 文件的名称。

要对 Diode、IGBT (Ideal, Switching) 或 MOSFET (Ideal, Switching) 模块进行参数化，请以区分大小写的字符串的形式指定 file。

要对 Half-Bridge (Ideal, Switching) 模块进行参数化，请以元胞数组 {file1,file2} 的形式指定 file，其中 file1 和 file2 是区分大小写的字符串。file1 是用于对开关器件进行参数化的 XML 文件，这些器件必须是 IGBT 或 MOSFET。file2 是用于对集成保护二极管进行参数化的 XML 文件 (自 R2024b 起)。

示例: ee_importDeviceParameters("ImportIGBTFromHitachiData.xml","hitachi",gcb) 对您在您的模型中点击的 IGBT (Ideal, Switching) 模块使用来自 ImportIGBTFromHitachiData.xml 文件的 Hitachi 所支持的格式的数据进行参数化。

示例: ee_importDeviceParameters({"ImportIGBTFromHitachiData.xml","ImportDiodeFromHitachiData.xml"},"hitachi",gcb) 对您在您的模型中点击的 Half-Bridge (Ideal, Switching) 模块使用 Hitachi 所支持的格式的数据进行参数化。该函数使用 ImportIGBTFromHitachiData.xml 来导入用于开关器件的参数，并且使用 ImportDiodeFromHitachiData.xml 来导入用于集成保护电路的参数。

您想要将参数值导入其中的 Diode、IGBT (Ideal, Switching)、MOSFET (Ideal, Switching) 或 Half-Bridge (Ideal, Switching) 模块的模块路径。

自 R2024a 起

Infineon 器件的导通栅极电阻，以欧姆为单位。

对于 Half-Bridge (Ideal, Switching) 模块，Rgon 表示开关器件的导通栅极电阻，这些开关器件必须是 IGBT 和集成保护二极管。

仅当您指定 "infineon" 输入参量时，您才能使用该参量。

自 R2024a 起

Infineon IGBT 的关断栅极电阻，以欧姆为单位。该函数使用此值对 IGBT (Ideal, Switching) 模块进行参数化，或将用于开关器件的参数导入 Half-Bridge (Ideal, Switching) 模块。

仅当您指定 "infineon" 输入参量时，您才能使用该参量。

用于在使用该函数时启用有关 XML 文件中未使用的字段的警告的选项，指定为 true 或 false。

提示

  • Infineon 和 Hitachi 数据手册不会为该函数支持的模块中的每个参数指定值。如果数据手册未提供某个值，则该函数使用默认模块参数值并在该值之后追加 % Parameter not set。如果您对使用 ee_importDeviceParameters 函数参数化的模型进行仿真但未获得预期的结果，可以调整这些参数，使其与您的数据更一致。

  • 要对具有保护二极管的 IGBT 或 MOSFET 进行参数化，需要在外部对该二极管进行建模。调用 ee_importDeviceParameters 函数两次：一次对 IGBT (Ideal, Switching) 或 MOSFET (Ideal, Switching) 模块进行参数化，另一次对 Diode 模块进行参数化。

  • 要对具有保护二极管的半桥进行参数化，需要在 Half-Bridge (Ideal, Switching) 模块中内部对这些二极管进行建模。调用 ee_importDeviceParameters 函数一次，即可对开关器件和集成保护二极管进行参数化。

  • Infineon 和 Hitachi 格式 XML 文件提供的信息可用于对理想的开关器件模型进行参数化，其中包含开关损耗表和热模型。当您进行以下建模假设时，可使用 ee_importDeviceParameters 函数：

    • 通态 I-V 曲线表

    • 无电荷模型

    • 开关损耗表

    • 结和壳热模型

    如果您想要更改这些建模假设，请使用其他方法来对相关模块进行参数化。有关建模假设和参数化方法的详细信息，请参阅Choose Blocks to Model Semiconductor Devices。

版本历史记录

在 R2021b 中推出

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另请参阅

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