主要内容

ee_importDeviceParameters

从 Hitachi、Infineon 或 Wolfspeed XML 数据手册中导入理想半导体模块参数

自 R2021b 起

说明

Hitachi 器件

ee_importDeviceParameters(file,"hitachi",blockPath) 从 Hitachi 支持的格式的数据手册中提取参数,用于二极管、绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 或金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。该语法将参数导入到指定 blockPath 下的 Simscape™ 模块中。XML 文件必须位于 MATLAB® 路径上。该语法支持以下模块:

有关用于 IGBT 和二极管器件的 Hitachi 数据手册的示例,请参阅 Hitachi 网站上的 Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) and diode modules with SPT, SPT+, SPT++ and TSPT+ chips 页面。

示例

Infineon 器件

ee_importDeviceParameters(file,"infineon",blockPath,GateResistanceOn=Rgon) 从 Infineon® 支持的格式的数据手册中提取参数,用于具有由 Rgon 指定的导通栅极电阻值的二极管。该语法将参数导入到指定 blockPath 下的 Diode 模块中。XML 文件必须位于 MATLAB 路径上 (自 R2024b 起)

ee_importDeviceParameters(file,"infineon",blockPath,GateResistanceOn=Rgon,GateResistanceOff=Rgoff) 从数据手册中提取参数,用于具有由 Rgon 指定的导通栅极电阻值和由 Rgoff 指定的关断栅极电阻值的 IGBT 或 MOSFET。该语法将参数导入到指定 blockPath 下的 Simscape 模块中。XML 文件必须位于 MATLAB 路径上。该语法支持以下模块:

有关 IGBT 或 MOSFET 器件的 Infineon 数据手册示例,请参阅 Infineon 网站上的 IGBTs – Insulated Gate Bipolar TransistorsPower MOSFET 页面。

Wolfspeed 器件

自 R2025a 起

ee_importDeviceParameters(file,"wolfspeed",blockPath,GateResistanceOn=Rgon) 从 Wolfspeed 支持的格式的数据手册中提取参数,用于具有由 Rgon 指定的导通栅极电阻值的二极管。该语法将参数导入到指定 blockPath 下的 Diode 模块中。XML 文件必须位于 MATLAB 路径上。

注意

该函数不使用 Rgon 的值,因为 Wolfspeed 二极管 XML 文件目前将反向恢复能量损耗指定为常数零。 (自 R2025a 起)

ee_importDeviceParameters(file,"wolfspeed",blockPath,GateResistanceOn=Rgon,GateResistanceOff=Rgoff) 从 Wolfspeed 支持的格式的数据手册中提取参数,用于具有由 Rgon 指定的导通栅极电阻值和由 Rgoff 指定的关断栅极电阻值的 MOSFET。该语法将参数导入到指定 blockPath 下的 Simscape 模块中。XML 文件必须位于 MATLAB 路径上。该语法支持以下模块:

有关 Wolfspeed 数据手册的示例,请参阅 Wolfspeed 网站上的 LTspice 和 PLECS 模型页面。

附加选项

ee_importDeviceParameters(___,Verbose=true) 还会启用有关 XML 文件中未使用的字段的警告。

ee_importDeviceParameters(___,Verbose=false) 还会禁用有关 XML 文件中未使用的字段的警告。

示例

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选择您想要将参数导入其中的模块。打开包含 IGBT (Ideal, Switching) 模块的模型。

openExample("simscapeelectrical/ImportIGBTFromHitachiExample")

编辑 ee_import_igbt_device_parameters_data.xml 文件以检查其内容。

edit ImportIGBTFromHitachiData.xml 

点击 IGBT (Ideal, Switching) 模块,然后调用 ee_importDeviceParameters 函数。

ee_importDeviceParameters("ImportIGBTFromHitachiData.xml","hitachi",gcb)

输入参数

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您想要导入并从中提取参数的 XML 文件的名称。

要对 DiodeIGBT (Ideal, Switching) MOSFET (Ideal, Switching) 模块进行参数化,请以区分大小写的字符串的形式指定 file

要对 Half-Bridge (Ideal, Switching) 模块进行参数化,请以元胞数组 {file1,file2} 的形式指定 file,其中 file1file2 是区分大小写的字符串。file1 是用于对开关器件进行参数化的 XML 文件,这些器件必须是 IGBT 或 MOSFET。file2 是用于对集成保护二极管进行参数化的 XML 文件 (自 R2024b 起)

示例: ee_importDeviceParameters("ImportData.xml","hitachi",gcb) 使用 ImportData.xml 文件中格式受 Hitachi 支持的数据对最近点击的模块进行参数化。最近点击的模块必须为 DiodeIGBT (Ideal, Switching)MOSFET (Ideal, Switching) 模块。

示例: ee_importDeviceParameters({"ImportIGBTFromHitachiData.xml","ImportDiodeFromHitachiData.xml"},"hitachi",gcb) 使用格式受 Hitachi 支持的数据对最近点击的 Half-Bridge (Ideal, Switching) 模块进行参数化。该函数使用 ImportIGBTFromHitachiData.xml 来导入用于开关器件的参数,并且使用 ImportDiodeFromHitachiData.xml 来导入用于集成保护电路的参数。

您想要将参数值导入其中的 DiodeIGBT (Ideal, Switching)MOSFET (Ideal, Switching)Half-Bridge (Ideal, Switching) 模块的路径名称或句柄。

要查找路径名称,请点击模块并使用 gcb 函数。要查找路径句柄,请点击模块并使用 gcbh 函数。

示例: ee_importDeviceParameters("ImportData.xml","hitachi",gcb) 使用 ImportData.xml 文件中格式受 Hitachi 支持的数据对最近点击的模块进行参数化。最近点击的模块必须为 DiodeIGBT (Ideal, Switching)MOSFET (Ideal, Switching) 模块。

示例: ee_importDeviceParameters("ImportData.xml","hitachi","myModel/myBlock") 使用 ImportData.xml 文件中格式受 Hitachi 支持的数据,对 "myModel" 模型顶层中名为 "myBlock" 的模块进行参数化。

自 R2024a 起

Infineon 和 Wolfspeed 器件的导通栅极电阻,以欧姆为单位。

对于 Half-Bridge (Ideal, Switching) 模块,Rgon 表示开关器件(必须是 IGBT 或 MOSFET)和集成保护二极管的导通栅极电阻。

如果您在 file 参量中指定了一个包类型为“带二极管的 MOSFET”的 Infineon XML 文件,则该函数还会使用 Rgon 参量的值来计算二极管反向恢复损耗。

仅当您指定 "infineon""wolfspeed" 输入参量时,才能使用该参量。

自 R2024a 起

Infineon IGBT、Infineon MOSFET (自 R2026a 起) 或 Wolfspeed MOSFET 的关断栅极电阻,以欧姆为单位。该函数使用此值对 IGBT (Ideal, Switching)MOSFET (Ideal, Switching) 模块进行参数化,或将用于开关器件的参数导入 Half-Bridge (Ideal, Switching) 模块。

仅当您指定了 "infineon""wolfspeed" 输入参量,并且 XML 文件的包类型为 MOSFET 或 IGBT 时,才能使用此参量。

用于在使用该函数时启用有关 XML 文件中未使用的字段的警告的选项,指定为 truefalse

详细信息

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提示

  • Infineon、Hitachi 和 Wolfspeed 数据手册不会为该函数支持的模块中的每个参数指定值。如果数据手册未提供某个值,则该函数使用默认模块参数值并在该值之后追加 % Parameter not set。如果您对使用 ee_importDeviceParameters 函数参数化的模型进行仿真但未获得预期的结果,可以调整这些参数,使其与您的数据更一致。

  • 要对具有保护二极管的 IGBT 或 MOSFET 进行参数化,需要在外部对该二极管进行建模。调用 ee_importDeviceParameters 函数两次:一次对 IGBT (Ideal, Switching)MOSFET (Ideal, Switching) 模块进行参数化,另一次对 Diode 模块进行参数化。

  • 要对具有保护二极管的半桥进行参数化,需要在 Half-Bridge (Ideal, Switching) 模块中内部对这些二极管进行建模。调用 ee_importDeviceParameters 函数一次,即可对开关器件和集成保护二极管进行参数化。

  • Infineon、Hitachi 和 Wolfspeed 格式 XML 文件提供的信息可用于对理想的开关器件模型进行参数化,其中包含开关损耗表和热模型。当您进行以下建模假设时,可使用 ee_importDeviceParameters 函数:

    • 通态 I-V 曲线表

    • 无电荷模型

    • 开关损耗表

    • Foster 或 Cauer 热网络

    如果您想要更改这些建模假设,请使用其他方法来对相关模块进行参数化。有关建模假设和参数化方法的详细信息,请参阅选择模块来建模半导体器件

Infineon

  • 如果 Infineon XML 文件包含的通态电压查找 (Von(Tj,I)) 值不随电流向量中的值单调递增,则 ee_importDeviceParameters 函数会删除通态电压降查找表中包含无效值的列以及电流向量的对应元素。 (自 R2026a 起)

  • Infineon MOSFET XML 文件使用多项式方程格式或自定义查找表来指定公式。该公式确定了导通和关断损耗查找表的最终值,这些值分别随导通和关断栅极电阻而变化。 (自 R2026a 起)

  • Infineon MOSFET XML 文件的包类型可为“MOSFET”或“带二极管的 MOSFET”。如果包类型为“带二极管的 MOSFET”,则 ee_importDeviceParameters 函数还会计算 MOSFET (Ideal, Switching) 模块中集成二极管部分的参数。如果包类型为“MOSFET”,则 ee_importDeviceParameters 函数将 MOSFET (Ideal, Switching) 模块的集成保护二极管参数设置为外部二极管 (自 R2026a 起)

  • 如果 XML 文件的包类型为“带二极管的 MOSFET”,则该文件通常会为 ConductionLoss 字段指定两个条目,其 gate 属性分别为 "on""off"。但是,Infineon MOSFET XML 文件可能只为 ConductionLoss 字段指定一个条目。如果您使用 ee_importDeviceParameters 函数从这些文件中导入器件参数,则该函数假设 ConductionLoss 字段中的数据是指 MOSFET 器件,并使用默认模块参数值作为集成二极管的通态参数。

Wolfspeed

  • Wolfspeed MOSFET XML 文件在三维导通和关断损耗的查找表的电流轴和电压轴中包含负值。MOSFET (Ideal, Switching) 模块不支持电流轴的负值,因为它假设负电流值下的开关损耗始终为零。因此,此函数会删除这些负轴值以及相应的导通和关断能量损耗数据。该模块支持使用电压轴的负值,但假设这些电压值下的开关损耗始终为零。 (自 R2025a 起)

  • Wolfspeed MOSFET XML 文件可能会为导通和关断损耗查找表指定不同的温度 (Tj) 轴值。由于 MOSFET (Ideal, Switching) 模块和 Half-Bridge (Ideal, Switching) 模块不支持这些查找表使用不同的 Tj 轴值,因此此函数会对导通和关断损耗查找表进行线性插值,使得它们共享相同的 Tj 轴。 (自 R2025a 起)

  • 针对 MOSFET、体二极管和独立二极管元件的 Wolfspeed XML 文件指定了用于 Cauer 热网络的参数。 (自 R2025a 起)

  • Wolfspeed XML 文件指定了一个确定导通和关断损耗查找表的最终值的公式,该最终值分别随导通和关断栅极电阻而变化。 (自 R2025a 起)

  • 目前,针对 MOSFET 体二极管和独立二极管元件的 Wolfspeed XML 文件均将反向恢复损耗指定为零。 (自 R2025a 起)

  • 如果 Wolfspeed XML 文件使用相同的栅极电阻值来计算导通和关断损耗,则 ee_importDeviceParameters 函数会使用 GateResistanceOnGateResistanceOff 参量的值进行计算。 (自 R2025a 起)

  • 如果 Wolfspeed XML 文件包含的通态电压查找 (Von(Tj,I)) 值不随电流向量中的值单调递增,则 ee_importDeviceParameters 函数会删除通态电压降查找表中包含无效值的列以及电流向量的对应元素。 (自 R2025a 起)

版本历史记录

在 R2021b 中推出

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