ee_importDeviceParameters
语法
说明
Hitachi 器件
ee_importDeviceParameters( 从 Hitachi 支持的格式的数据手册中提取参数，用于二极管、绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 或金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。该语法将参数导入到指定 file,"hitachi",blockPath)blockPath 下的 Simscape™ 模块中。XML 文件必须位于 MATLAB® 路径上。该语法支持以下模块：
Diode (自 R2022a 起)
MOSFET (Ideal, Switching) (自 R2024a 起)
Half-Bridge (Ideal, Switching) - 对开关器件（必须是 IGBT 或 MOSFET）和集成保护二极管进行参数化 (自 R2024b 起)。
有关用于 IGBT 和二极管器件的 Hitachi 数据手册的示例，请参阅 Hitachi 网站上的 Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) and diode modules with SPT, SPT+, SPT++ and TSPT+ chips 页面。
Infineon 器件
ee_importDeviceParameters( 从数据手册中提取参数，用于具有由 file,"infineon",blockPath,GateResistanceOn=Rgon,GateResistanceOff=Rgoff)Rgon 指定的导通栅极电阻值和由 Rgoff 指定的关断栅极电阻值的 IGBT。该语法将参数导入到指定 blockPath 下的 Simscape 模块中。XML 文件必须位于 MATLAB 路径上。该语法支持以下模块：
IGBT (Ideal, Switching) (自 R2024a 起)
Half-Bridge (Ideal, Switching) - 对开关器件（必须是 IGBT）和集成保护二极管进行参数化 (自 R2024b 起)。
有关 IGBT 器件的 Infineon 数据手册示例，请参阅 Infineon 网站上的 IGBTs – Insulated Gate Bipolar Transistors 页面。
Wolfspeed 器件
自 R2025a 起
ee_importDeviceParameters( 从 Wolfspeed 支持的格式的数据手册中提取参数，用于具有由 file,"wolfspeed",blockPath,GateResistanceOn=Rgon,GateResistanceOff=Rgoff)Rgon 指定的导通栅极电阻值和由 Rgoff 指定的关断栅极电阻值的 MOSFET。该语法将参数导入到指定 blockPath 下的 Simscape 模块中。XML 文件必须位于 MATLAB 路径上。该语法支持以下模块：
Half-Bridge (Ideal, Switching) - 对开关器件（必须是 MOSFET）和集成保护二极管进行参数化。
有关 Wolfspeed 数据手册的示例，请参阅 Wolfspeed 网站上的 LTspice 和 PLECS 模型页面。
示例
输入参数
提示
Infineon、Hitachi 和 Wolfspeed 数据手册不会为该函数支持的模块中的每个参数指定值。如果数据手册未提供某个值，则该函数使用默认模块参数值并在该值之后追加
% Parameter not set。如果您对使用ee_importDeviceParameters函数参数化的模型进行仿真但未获得预期的结果，可以调整这些参数，使其与您的数据更一致。要对具有保护二极管的 IGBT 或 MOSFET 进行参数化，需要在外部对该二极管进行建模。调用
ee_importDeviceParameters函数两次：一次对 IGBT (Ideal, Switching) 或 MOSFET (Ideal, Switching) 模块进行参数化，另一次对 Diode 模块进行参数化。要对具有保护二极管的半桥进行参数化，需要在 Half-Bridge (Ideal, Switching) 模块中内部对这些二极管进行建模。调用
ee_importDeviceParameters函数一次，即可对开关器件和集成保护二极管进行参数化。Infineon、Hitachi 和 Wolfspeed 格式 XML 文件提供的信息可用于对理想的开关器件模型进行参数化，其中包含开关损耗表和热模型。当您进行以下建模假设时，可使用
ee_importDeviceParameters函数：通态 I-V 曲线表
无电荷模型
开关损耗表
Foster 或 Cauer 热网络
如果您想要更改这些建模假设，请使用其他方法来对相关模块进行参数化。有关建模假设和参数化方法的详细信息，请参阅Choose Blocks to Model Semiconductor Devices。
Wolfspeed MOSFET XML 文件在三维导通和关断损耗的查找表的电流轴和电压轴中包含负值。MOSFET (Ideal, Switching) 模块不支持电流轴的负值，因为它假设负电流值下的开关损耗始终为零。因此，此函数会删除这些负轴值以及相应的导通和关断能量损耗数据。该模块支持使用电压轴的负值，但假设这些电压值下的开关损耗始终为零。 (自 R2025a 起)
Wolfspeed MOSFET XML 文件可能会为导通和关断损耗查找表指定不同的温度 (Tj) 轴值。由于 MOSFET (Ideal, Switching) 模块和 Half-Bridge (Ideal, Switching) 模块不支持这些查找表使用不同的 Tj 轴值，因此此函数会对导通和关断损耗查找表进行线性插值，使得它们共享相同的 Tj 轴。 (自 R2025a 起)
针对 MOSFET、体二极管和独立二极管元件的 Wolfspeed XML 文件指定了用于 Cauer 热网络的参数。 (自 R2025a 起)
Wolfspeed XML 文件指定了一个确定导通和关断损耗查找表的缩放因子的公式，该缩放因子分别随导通和关断栅极电阻而变化。 (自 R2025a 起)
目前，针对 MOSFET 体二极管和独立二极管元件的 Wolfspeed XML 文件均将反向恢复损耗指定为零。 (自 R2025a 起)
如果 Wolfspeed XML 文件使用相同的栅极电阻值来计算导通和关断损耗，则
ee_importDeviceParameters函数会使用GateResistanceOn和GateResistanceOff参量的值进行计算。 (自 R2025a 起)如果 Wolfspeed XML 文件包含的通态电压查找 (
Von(Tj,I)) 值不随电流向量中的值单调递增，则ee_importDeviceParameters函数会删除通态电压降查找表中包含无效值的列以及电流向量的对应元素。 (自 R2025a 起)
