IGBT 行为模型
此示例测试框架可用于验证 Simscape™ Electrical™ N 沟道 IGBT 的“简化的 I-V 特性和基于事件的定时”建模选项。此建模选项仅需要与通态栅极电压对应的 I-V 数据，并通过将集电极-发射极电压作为仿真时间的线性函数来对导通上升时间和关断下降时间进行建模。这种方法的优点是仿真速度更快，参数化更容易。
该测试框架可用于证明此建模选项的时序特性与“完全 I-V 特性和电容特性”建模选项非常相似。
这两个建模选项均基于同一数据手册进行了参数化。基于事件的建模选项中唯一需要调整的参数是米勒电阻。调整该参数是为了使电流尖峰与在已有续流电流的情况下接通负载时的情形相匹配。
模型
来自 Simscape 记录的仿真结果
下图比较了 Simscape Electrical 中两种 IGBT 模型的行为。简化建模选项可实现与完全建模选项类似的行为，并且经过了调整，使电流尖峰与在已有续流电流的情况下接通负载时的情形相匹配。
