IGBT 动态特性
此示例展示了 IGBT 的动态特性如何随其参数而变化。要使动态特性与数据手册值或测得数据匹配，一个前提条件是设置定义静态 I-V 曲线的参数。有关此内容的信息，请参阅“IGBT 特性”示例 IGBTCharacteristics。正确设置静态参数后，可以按如下方式设置动态参数：
1.将输入电容 Cies 设置为数据手册中的值，或进行迭代，直到 Vge 上升到米勒长度（Vge 在 Vge(th) 处的平坦区域）的时间等于测得上升时间。
2.将反向传输电容 Cres 设置为数据手册中的值，或进行迭代，直到米勒长度与测得值匹配。
3.迭代调整栅极-集电极氧化物电容，使米勒长度后的 Vge 时间常数与测得值匹配。
4.迭代调整总正向渡越时间 TF，直至关断过程中的集电极电流 Ic 呈现出测得时间常数。
点击模型中的 Plot time responses 超链接，即可查看时间响应随参数值变化的情况。
模型
来自 Simscape 记录的仿真结果
下图显示了更改 IGBT 封装参数 Cres、Cox 和正向渡越时间的影响。
